|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3670 van 6695 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of the transient interstitial diffusion of implanted atoms during low-temperature annealing of silicon substrates |
| Auteur: |
Velichko, O.I. Kavaliova, A.P. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 407 (2012) nr. 12 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3670 van 6695 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |